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QS5U23
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U23
Structure
Silicon P-channel MOS FET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive(2.5V)
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch , DC/DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U23
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(5)
(4)
QS5U23
Basic ordering unit
(pieces)
3000
? 2
(1)ANODE
(2)SOURCE
(3)GATE
? 1
(4)DRAIN
(5)CATHODE
(1)
(2)
(3)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
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